### 产品简介
AULR3114Z-VB 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。此 MOSFET 具有优异的低导通电阻，适用于高电流应用，能够承受高达 40V 的漏源电压。其漏极电流可达 120A，适合用于需要高效能和高功率处理的场景。
### 详细参数说明
- **型号**: AULR3114Z-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench 工艺
### 适用领域和模块
AULR3114Z-VB 适用于以下领域：
1. **电源管理**: 高效的导通电阻使其适合用于电源开关和 DC-DC 转换器中，以提高整体能效并降低功耗。
2. **电动汽车**: 由于其高电流处理能力和耐高压特性，适合用于电动汽车的电机驱动和电池管理系统。
3. **电力电子**: 可用于高功率电源设备中，如逆变器和功率放大器，以实现高效能和稳定运行。
4. **计算机硬件**: 在高性能计算机和服务器中，作为功率开关和调节器，以提高系统性能和稳定性。