### 产品简介
**型号**: AULR3636-VB
**封装**: TO252
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 60V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 3V
**导通电阻**:
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V
- 4.5mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 97A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: AULR3636-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 60V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V
- 4.5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 97A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **电源管理模块**
AULR3636-VB 的低导通电阻和高漏电流能力使其非常适合用于高效的电源管理系统，特别是在需要高电流和低功耗损耗的场景下。
2. **电动汽车控制系统**
该MOSFET的高耐压和低R_DS(ON)特性使其适合用于电动汽车的电源转换和电机驱动模块，以提供稳定可靠的功率控制。
3. **开关电源**
在开关电源设计中，AULR3636-VB 可以用于提高转换效率和减少热量，因其具有低导通电阻和高电流承载能力。
4. **LED驱动电路**
由于其高电流能力和低导通电阻，适用于LED驱动电路中的开关元件，可以有效减少能量损耗并提升LED的工作效率。