### 产品简介
**型号**: AULU3110Z-VB
**封装**: TO251
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 100V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 1.8V
**导通电阻**: 12.5mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 65A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: AULU3110Z-VB
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 100V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.8V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 12.5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 65A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **高压电源转换器**
AULU3110Z-VB 的高耐压能力和低导通电阻使其适合用于高压电源转换器，以提高效率并降低功耗损失。
2. **电动汽车充电系统**
该MOSFET的高漏电流能力和低导通电阻，使其在电动汽车充电系统中能够提供可靠的功率开关功能，保障充电效率和安全。
3. **开关电源**
在开关电源应用中，AULU3110Z-VB 的高耐压和低导通电阻可以用于提高系统稳定性和减少能量浪费，适合用于各种电源管理模块。
4. **电机驱动模块**
AULU3110Z-VB 的特性使其适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和高耐压的应用场景中，提供高效的电机控制和保护。