### 产品简介
**AULZ44Z-VB** 是一款采用 TO220 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件利用沟槽工艺制造，提供高耐压和低导通电阻的特性，适合用于高电流和高效率的电力电子应用。
### 参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 11mΩ @ VGS = 10V
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**：60A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **电源开关**：AULZ44Z-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源开关应用。它可以有效地控制电流流向，提高电源开关的效率和稳定性。
2. **电动汽车**：在电动汽车中，该 MOSFET 可用于电池管理系统和电机驱动模块，支持高电流和高耐压操作，提升系统的安全性和可靠性。
3. **DC-DC 转换器**：AULZ44Z-VB 的低导通电阻特性使其在 DC-DC 转换器中表现优异，可以减少功率损耗和发热，提高转换效率。
4. **开关电源**：在开关电源应用中，这款 MOSFET 可作为高效开关器件，适用于需要高电流处理和低功耗的设计，提升系统的整体性能。