### 产品简介
B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，具备低导通电阻和大电流处理能力，特别适用于高电压开关和功率控制应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B11NM60-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 栅极电压下: 18mΩ
- 10V 栅极电压下: 12mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
B11NM60-VB 适用于以下领域和模块：
1. **电源开关**：在电源管理系统中，用作高电流开关，提供高效的功率控制和电源转换。
2. **汽车电子**：在汽车电子系统中作为开关元件，处理高负荷应用，如电动窗户控制和动力系统。
3. **消费电子**：用于家电和消费电子设备中的功率管理模块，提升能效和稳定性。
4. **LED驱动**：在LED照明系统中，作为开关元件实现高效的电流调节和亮度控制。