### 产品简介
B11NM80-VB 是一款高耐压单通道 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。此 MOSFET 设计能够承受高达 800V 的漏源电压，并且支持最大 15A 的漏极电流。采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有较高的导通电阻，适合用于高电压、高功率的应用场景。
### 详细参数说明
- **型号**: B11NM80-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 800V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI 工艺
### 适用领域和模块
B11NM80-VB 适用于以下领域：
1. **电源转换**: 在高电压开关电源和变换器中，用于高效的电源转换和电流调节。
2. **电力电子**: 适合用于高功率电力设备，如电源逆变器和功率放大器，因其高电压耐受性和稳定性。
3. **工业应用**: 在高压工业设备中提供可靠的功率开关功能，如电机驱动和自动化控制系统。
4. **家电和照明**: 用于高电压家电和照明设备的功率控制，确保系统稳定运行和安全。