### 产品简介
**型号**: B120NH03L-VB
**封装**: TO263
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 30V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 1.7V
**导通电阻**:
- 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.4mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 98A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: B120NH03L-VB
- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 30V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V
- 2.4mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 98A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **DC-DC 转换器**
B120NH03L-VB 的低导通电阻和高漏电流能力使其非常适合用于高效能的DC-DC转换器，提升系统转换效率并减少功耗损失。
2. **电源管理系统**
在电源管理系统中，该MOSFET的高电流能力和低R_DS(ON) 特性可以用于电流开关，优化功率分配和保护电路。
3. **功率放大器**
由于其低导通电阻，B120NH03L-VB 可用于功率放大器的开关模块，以提升信号放大效能并减少能量浪费。
4. **电机驱动控制**
适用于电机驱动控制系统中，能够提供高电流支持和低功耗开关，确保电机运行稳定和高效。