### 产品简介
**B12NK80Z-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有高耐压特性和较大的导通电阻，适用于高电压和中等电流的电子应用。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：800V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：600mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
1. **高压电源**：B12NK80Z-VB 的高漏源电压使其非常适合用于高压电源应用，能够在高电压条件下稳定工作，保护电源系统的安全性。
2. **电动工具**：在电动工具中，该 MOSFET 可用于控制电机驱动和开关电源，适应高电压需求并提供可靠的电流控制。
3. **开关电源**：适用于开关电源模块中的高电压开关组件，有效处理大功率输入，提供稳定的电流控制。
4. **电力转换器**：在电力转换器中，B12NK80Z-VB 可以用于高电压条件下的电流开关，适合用于高电压电源和电力系统的开关控制。