### 产品简介
**B140NF55-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术，设计用于高电流和高耐压应用。它具有低导通电阻和较高的耐压能力，适合用于各种高效能电源管理和功率转换应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B140NF55-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10V 栅源电压下: 4mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 150A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**B140NF55-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高功率开关电源**:
- 作为高效能开关元件，用于电源转换和调节，提供低导通电阻以提高系统效率。
2. **电动汽车 (EV)**:
- 在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中，支持高电流操作和稳定性。
3. **数据中心电源**:
- 应用于数据中心的电源模块中，以实现高效的电流控制和低功耗。
4. **工业设备**:
- 在各种工业设备的功率管理系统中，用于高电流开关，确保高效和可靠运行。
这些应用场景展示了 B140NF55-VB 在处理高电流和高电压要求的电子模块中的显著优势。