SGNL015Z2K-RT DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT

型号: SGNL015Z2K-RT

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SGNL015Z2K-RT

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL015Z2K-R提供高功率,高效、易于匹配和DC更大的一致性3.8GHz雷达应用,50V操作。SGNL015Z2K-R为适用于宽带应用。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGNL015Z2K-RT
名称                    GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地                    日本
封装                    DFN
 

型号参数
用于直流至3.8GHz的高功率GaN HEMT
高功率:17W@3.8GHz
高效率:56%@3.8GHz
DFN塑料包装


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