型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3035-150L-R为50V工作的s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低热阻允许使用高达5微秒脉冲宽度的长脉冲，占空比为10%。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGN3035-150L-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IV
型号参数
高功率：190W（典型）@引脚=8W（39dBm）
高效率：62%（典型值）@引脚=8W（39dBm）
宽带：3.0至3.5 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
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