型号简介
Sumitomo的SGK1314-30A是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGK1314-30A
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IBK
型号参数
高输出功率：Pout=45.0dBm（典型）
高增益：GL=8.5dB（典型值）
高P.A.E.：PAE=32%（典型值）
宽带：13.75至14.5GHz
密封包装
相关型号
SGC5259-400B-R
F658-6472-60A
F658-5867-100A
SGC8598-100B-R
SGC8598-200B-R
SGC8598-50B-R
SGC0910-200B-R
SGK1314-30B
FS/F658-8598-200A-R
ES/SGM6801V1M
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
FS/EB/SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGK1314-60B
SGM6901VU
SGK5867-20A
SGK1314-30A
SGN2933-600D-R