型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于1.8至2.0GHz LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN19C320I2D
名称 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：55dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
线性增益：19.0dB（典型值）@f=1.9GHz
经验证的可靠性
仅适用于Doherty放大器的峰值级
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