型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN21C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作,并为您提供更高的增益。此新产品非常适合用于2.1GHz LTE设计要求,因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Eudyna
型号 SGN21C320I2D
名称 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
产地 日本
封装 SMT
型号参数
高压操作:VDS=50V
高功率:55dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
线性增益:18.5dB(典型值)@f=2.14GHz
经验证的可靠性
仅适用于Doherty放大器的峰值级
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