全方位理解功率MOSFET的雪崩失效现象

IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异（2）

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）

芯片的几个重要测试环节-CP、FT、WAT

一文了解IGBT的极限值

基于碰撞电离率模型的Miller公式S参数拟合分析

基于碰撞电离率的平行平面结及晶闸管研究

PN结曲率效应的产生及其对击穿电压的影响

UIS测试是什么？雪崩能量对实际应用的影响

功率二极管噪声特性

高频小功率晶体管设计

齐纳二极管的特性简介及设计案例

有源钳位吸收器电路设计与数字实现方式

击穿电压是什么_击穿电压的工作原理是什么