国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氢能源发电机，工作结温-55~175℃

国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D06065E在主体为BOOST电路的PFC电路应用方案

国芯思辰｜基本半导体650V碳化硅肖特基二极管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站电源

国芯思辰｜基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化，导通电阻32mΩ

国芯思辰｜基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列​

国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位，反向电压1200V

国芯思辰｜基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低电机驱动功率损耗，导通延迟20ns

国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D40120HC替代C4D40120D用于储能双向变流器，有效提高系统功率密度

国芯思辰｜基本半导体双通道隔离栅极驱动器BTD21520替换UCC21320-Q1用于UPS电源，驱动峰值电流4.5/6A

国芯思辰｜基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD5350替代东芝TLP350用于工业空调

国芯思辰｜基本半导体单通道隔离栅极驱动器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆变器

国芯思辰｜基本半导体电流模式PWM控制器BTP3844D替代UC3844BD1G用于AC DC电源模块设计，工作频率500kHz

国芯思辰｜基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升

基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC可pin to pin替换科锐C4D30120D

基本半导体携碳化硅MOSFET新品亮相SNEC国际光伏展

集团总部青铜剑科技大厦喜封金顶

基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D20065HC1应用于1.3kW服务器电源

基本半导体亮相第二十届中国国际半导体博览会

基本半导体荣获中国电源学会科学技术奖

基本半导体研发汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2