一种穿过衬底的通孔蚀刻工艺

通过光刻和蚀刻工艺顺序提高整个晶圆的关键尺寸均匀性（1）

HF蚀刻碱性化学清洗工艺对硅表面的影响

湿法蚀刻与干法蚀刻有什么不同

铜在去离子水中的蚀刻研究

使用清洗溶液实现蚀刻后残留物的完全去除

金属蚀刻残留物对蚀刻均匀性的影响

选择性高通量TiN蚀刻方法的研究

混合酸溶液和熔融KOH中蚀刻的GaN薄膜

蚀刻速率的影响因素及解决方法

晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米的技术挑战

锗基衬底抗蚀剂剥离工艺研究

电化学阳极氧化纳米晶多孔硅层的合成和表征研究

精确确定晶片结晶方向的不同技术方法

超深熔融石英玻璃蚀刻研究

在超临界二氧化碳中蚀刻氧化硅薄膜

M111N蚀刻速率，在碱性溶液中蚀刻硅

蚀刻溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响

纳米掩膜蚀刻的详细说明

光刻胶剥离工艺的基本原理