云海芯科完成A轮融资，加速国产化存储芯片研发

美光科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂

三星电子加紧推进eMRAM制程升级，预计2027年推出5nm工艺 

存储芯片厂商云海芯科完成A轮融资

南亚科技明年初试产DDR5内存颗粒，四款1Bnm制程DRAM产品已投产

SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶

四川云海芯科完成A轮融资，致力于国产化存储芯片及解决方案研发

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

广颖电通亮相2024台北国际电脑展，展示DRAM-less无外置缓存解决方案

美光科技调整计划，2027年底日本新厂投产

美光科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

美光HBM3E解决方案，高带宽内存助力AI未来发展

SK海力士：HBM3E量产时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率

美光科技或需赔偿Netlist内存子系统专利三倍

三星电子研发16层3D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量