ASMPT与美光携手开发下一代HBM4键合设备

台积电携手创意电子，斩获SK海力士HBM4芯片大单

台积电携手创意电子斩获HBM4关键界面芯片大单

SK海力士HBM4芯片前景看好

台积电准备生产HBM4基础芯片

台积电将采用HBM4，提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案

三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

SK海力士、三星电子：HBM内存供应充足，明年HBM4将量产

SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

SK海力士加速HBM4E内存研发，预计2026年面市

三星电子组建HBM4团队，旨在缩短开发周期，提升竞争力

三星电子组建HBM4独立团队，力争夺回HBM市场领导地位

英伟达R系列AI芯片预计2025年量产，内含8颗HBM4存储芯片，关注耗能问题

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

SK海力士和台积电签署谅解备忘录 目标2026年投产HBM4

SK海力士与台积电达成研发合作，推动HBM4和下一代封装技术发展