利用尖端HBM4技术加速人工智能发展

三星电子或2026年将HBM4基底技术生产外包给台积电

HBM4到来前夕，HBM热出现两极分化

GPU集成12颗HBM4，台积电CoWoS-L、CoW-SoW技术演进

三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片

三星携手台积电,共同研发无缓冲HBM4 AI芯片技术

三星电子加速推进HBM4研发，预计明年底量产

SK海力士携手台积电，N5工艺打造高性能HBM4内存

SK海力士探索无焊剂键合技术，引领HBM4创新生产

英伟达、台积电与SK海力士携手，2026年量产HBM4内存，能效显著提升

ASMPT与美光携手开发下一代HBM4键合设备

台积电携手创意电子，斩获SK海力士HBM4芯片大单

台积电携手创意电子斩获HBM4关键界面芯片大单

SK海力士HBM4芯片前景看好

台积电准备生产HBM4基础芯片

台积电将采用HBM4，提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案

三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器