三菱电机将开始提供第5代SiC MOSFET裸芯片样品

浮思特 | 3300V SiC MOSFET如何突破高压应用瓶颈?至信微新一代器件方案解析

数据中心大功率 UPS：基于 1200V SiC 的高效 ECO 模式

英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件

苏州固锝SNEC PV+ 2026圆满落幕

士兰微电子亮相ATC 2026上海国际汽车技术及零部件展览会

安森美捷克罗兹诺夫厂区再裁200-300人

突破高功率密度极限：基本半导体SiC与青铜剑驱动的“黄金三角”硬核解析

碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案

全SiC碳化硅模块四象限变频器（Four-Quadrant Inverter）技术发展趋势

倾佳力推国产SiC模块在电力电子应用加速替代进口IGBT模块

新品 | 混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）

SiC碳化硅功率模块及配套驱动板在冶金设备电弧炉中的应用

SiC上适配器是降维打击吗？对比传统硅方案，效率/温升/成本全复盘

杭州电子科技大学师生一行莅临翠展微电子参观交流

模块化UPS设计演进：基于SiC架构的高频化、高功率密度与智能化运维深度解析

碳化硅SiC功率器件在电能质量APF/SVG设备中的应用优势及发展趋势

碳化硅SiC功率模块在伺服驱动中的应用价值与技术发展趋势分析

2025-2035车规MLCC与SiC市场爆发：电动车高压化驱动的元器件黄金十年

应对全球供需失衡：国产SiC功率半导体替代英飞凌的系统级路径与战略重构