芯干线科技2025新年寄语

2024年数明半导体产品回顾

MG600Q2YMS3 硅基碳化物（SiC）N沟道MOSFET模块

DOH工艺 | 助力中国电动汽车保持领先优势

全力推进SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，实现电力电子产业升级和自主可控！

新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半桥模块

万年芯：半导体国产替代浪潮，机遇与挑战的“加速跑”

SiC解决方案：硅阳极能否增加电动汽车的续航里程

纳米银烧结技术：SiC半桥模块的性能飞跃

6W单极隔离辅助电源 用于SiC MOSFET与IGBT栅极驱动器

泰科天润斩获两项行业大奖

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

SiC市场激烈，万年芯在碳化硅领域的深耕与展望

自蔓延法合成碳化硅的关键控制点

瑞能半导体荣获“中国SiC Fabless十强企业”称号

华大半导体旗下中电化合物荣获2024年“中国SiC外延影响力企业”称号

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基势垒二极管介绍

扬杰科技荣获2024年行家极光奖“中国SiC IDM十强企业”

瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项

高纯碳化硅粉体合成方法