SiC与GaN技术专利竞争：新兴电力电子领域的创新机遇

2025被广泛视为SiC碳化硅在电力电子应用中全面替代IGBT的元年

士兰微电子8英寸碳化硅项目封顶

全球化合物半导体市场预计到2030年将达250亿美元！

深度分析与解读功率半导体发展走向的“三个必然”及其产业影响

SemiQ第三代SiC MOSFET：车充与工业应用新突破

国产SiC模块赋能组串式储能变流器（PCS）助力能源高效利用

国产SiC器件飞跨电容三电平取代2000V器件两电平MPPT升压方案

瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压功率模块

超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

国产SiC碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析

华大半导体与湖南大学成功举办SiC功率半导体技术研讨会

SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

从国产SiC器件质量问题频发的乱象看碳化硅功率半导体行业洗牌

碳化硅行业观察：2025年SiC功率器件厂商大洗牌

电力电子产业实现“换道超车”的战略选择：国产SiC模块取代进口IGBT模块

安森美新型SiC模块评估板概述

碳化硅功率器件的特性和应用

纳微半导体APEC 2025亮点抢先看

SiC模块并联ANPC拓扑在225kW储能变流器中的方案优势