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年产24万片!比亚迪SiC项目通过验收!
0.2nm工艺节点的背后需要“背面供电”支撑
东芝推40V eFuse IC,面向工业和消费电子
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12英寸碳化硅外延片突破!外延设备同步交付
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释放SiC、GaN潜力,TOLL封装加速渗透
曾经的激光雷达一哥,正式宣告破产
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英特尔半导体制造技术突破:2D 材料晶体管、新型电容器、12吋硅基氮化镓
比导通电阻降低41.6%,长晶科技推出新一代SGT工艺
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