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SST25VF080B原文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)
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2017-10-30
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25系列串行闪存家族特征的四线，spicompatible界面允许低引脚数封装占板空间并最终降低总系统成本。SST25VF080B设备提高工作频率和低功耗增强。SPI串行闪存的SST25VF080B制造专有的，高性能的CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器与其他方法相比，具有更好的可靠性和可制造性。SST25VF080B大大提高设备的性能和可靠性，同时降低功耗。设备写（编程或擦除）一种SST25VF080B 2.7 - 3.6V单电源供电，消耗的总能量是一个电压、电流的功能，以及申请时间。因为对于任何给定的电压范围，使用更少的SuperFlash技术电流程序并擦除时间短，消耗的总能量在任何擦除或编程操作比其他闪存技术。SST25VF080B装置是在8引脚SOIC提供（200毫升），8接触WSON（6mm×5mm），和8引脚PDIP封装（300毫升）。见引脚分配的图2-1。
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