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SST26VF016/SST26VF032中文资料数据手册PDF免费下载(串行闪存)
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2017-10-30
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串行四 I/O（SQI™）闪存器件系列采用 4 位复用 I/O 接口，可在低引脚数封装内实现低功耗和高性能的工作。使用 SQI 闪存器件的系统设计占用的电路板空间较少，最终可降低系统成本。 26 串行 SQI 系列的所有成员均采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash® 技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（Split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（Thick-oxide tunneling injector）可实现更高的可靠性和可制造性。 SST26VF016/032 可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。这些器件使用 2.7-3.6V 的单电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围， SuperFlash 技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。 SST26VF016/032 提供 8 触点 WSON （6 mm x 5 mm）和 8 引脚 SOIC （200 mil）封装。有关引脚分配，请参见图 2。
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