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基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O(SQI)闪存

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:4.25 MB | 2018-05-25

王银喜

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  特性

  • 单电压读写操作

  - 1.65-1.95V

  • 串行接口架构

  - 采用类SPI串行命令结构的半字节宽复用I/O

  - 模式0和模式3

  - x1/x2/x4串行外设接口(Serial Peripheral

  Interface,SPI)协议

  • 高速时钟频率

  - 最高104 MHz

  • 突发模式

  - 连续线性突发

  - 8/16/32/64字节带折回线性突发

  • 超高可靠性

  - 可擦写次数:100,000次(最小值)

  - 数据保存时间大于100年

  • 低功耗:

  - 读操作工作电流:15 mA(104 MHz时的典

  型值)

  - 待机电流:8 µA(典型值)

  • 页编程

  - x1或x4模式下每页256字节

  • 写操作结束检测

  - 软件轮询状态寄存器中的BUSY位

  • 灵活的擦除功能

  - 均一4 KB扇区

  - 4个8 KB顶部和底部参数覆盖块

  - 1个32 KB顶部和底部覆盖块

  - 均一64 KB覆盖块

  • 写暂停

  - 暂停编程或擦除操作以访问另一个块/扇区

  • 软件复位(RST)模式

  • 软件写保护

  - 独立块锁定

  - 64 KB块、2个32 KB块和8个8 KB参数块

  • 安全ID

  - 可一次性编程(One-Time Programmable,

  OTP)的2 KB安全ID

  - 出厂前预编程的64位惟一标识符

  - 用户可编程区域

  • 温度范围

  - 工业级:-40°C至+85°C

基于SST26WF016B/SST26WF016BA下的1.8V串行四I/O(SQI)闪存

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