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产生EMC问题主要通过两个途径：一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式，换句话说，产生EMC问题的三个要素是：电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。
MOS的并联使用原则：
1.并联的MOS必须为同等规格，最好是同一批次的。
2.并联的MOS的驱动电路的驱动电阻和放电电路必须是独立分开的，不可共用驱动电阻和放电电阻。
3.PCB走线尽量保证对称，减小电流分布不均
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降《0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout 大小只受Vcc大小影响。此时Ic《If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*RL，Vout= Ic*RL=（Vin-1.6V）/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与Vin 成比例，一般用于反馈环路里面 （1.6V 是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同） 。
2 光耦CTR
概要：
1）对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；
2）对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；
3）CTR受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算
举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设 Ri = 1k，Ro = 1k，光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi 是5V的方波，
输出Vcc 是3.3V。Vout 能得到3.3V 的方波吗？
我们来算算：If = （Vi-1.6V）/Ri = 3.4mA
副边的电流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA
假设副边要饱和导通，那么需要Ic’ = （3.3V – 0.4V）/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
所以副边得到的是1.7V 的方波。
为什么得不到3.3V 的方波，可以理解为图.1 光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA 的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
解决措施：增大If；增大CTR；减小Ic。对应措施为：减小Ri 阻值；更换大CTR 光耦；增大Ro 阻值。
将上述参数稍加优化，假设增大Ri 到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V的方波吗？
重新计算：If = （Vi – 1.6V）/Ri = 17mA；副边电流限制Ic’ ≤ CTR*If = 8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流（2.9mA），所以实际Ic = 2.9mA。
所以，更改Ri 后，Vout 输出3.3V 的方波。
开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic 与原边能提供的最小If 之间Ic/If 的比值与光耦的CTR 参数做比较，如果Ic/If ≤CTR，说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量（建议小于CTR 的90%）。
工作在线性状态令当别论。
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