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NAND 闪存概述

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.38MB | 2022-02-10

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NAND 闪存内部存储结构单元是基于 MOSFET（金属-氧化层-半导体-场效应晶体管）， 与普通场效应晶体管的不同之处在于，在栅极（控制栅）与漏极/源极之间存在浮置栅，利用该浮置栅存储数据。
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