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如何理解功率MOSFET规格书之动态参数的详细资料说明

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.79 MB | 2020-02-19

huang52291632

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  这些动态参数是相辅相成的,有很多的内在联系,但大致可以分为四类:跨导,电容,电荷以及开关时间。对于高压器件来说,其最高的开关频率为100kHz,此时电容参数对它很重要。对于低压器件来说,其最低的开关频率为100kHz,此时电荷参数对它很重要。

  1.电容:功率MOSFET的栅极附近和耗尽层中存在着大量寄生电容,这些电容的充电和放电特性,决定了功率MOSFET在开关过程中的开关延迟。

  为了提高器件的频率特性,就需要降低功率MOSFET的电容,但是降低电容参数的时候,导通电阻RDS(on)会随之增大。在实际中用,我们使用Ciss,Coss和Crss三个参数来作为衡量功率MOSFET器件频率特性的参数,它们并不是一个定值,而是随着其外部施加给器件本身的电压变化的(见图6.2)。

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