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如何理解功率MOSFET规格书之静态参数的详细资料说明
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2020-02-19
huang52291632
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1．漏源击穿电压V（BR）DSS：这个参数就是我们常说的BVDSS，是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，也就是漏源间寄生二极管的反向击穿电压。一般定义为漏电流达到250uA时候的漏电压。该击穿也属于雪崩击穿范畴，只是我们一般测量的漏电流比较小，对于正常器件来说，不具有破坏性。击穿电压V（BR）DSS是我们衡量一个MOS器件的重要参数，它和导通电阻RDS（on）都与器件的外延层厚度有关，并成正比。
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