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如何才能设计CMOS全集成的LDO线性稳压器
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由于半导体终端产品朝着整合多功能、数字化和轻薄短小三大趋势飞速发展，又由于便携式电子产品如手机、MP3/4、掌上电脑、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑等设备的迅速普及，导致具有快速响应、高功率密度的低成本单片电源管理IC（PMU）的市场需求越来越大］。而LDO（Low Dropout，低压差）线性稳压器由于其具有架构简单、价格低、省电、噪声小、无波纹、高电源抑制比（PSRR）特征以及尺寸小等突出优点在PMU中应用普遍。此外，新一代的低工作电压和电子产品，从以前的5V逐渐减少至3.3V，2.5V，1.8V，甚至更低，所以我们必须提高LDO电源利用，尽可能降低全集成LDO的压差2］。为了达到上述要求，LDO中的功率器件通常采用功率MOS晶体管作为调整管，这种LDO的压差能够达到0.4mV-52mV甚至更小的范围l1.这意味着提供的电压更稳定，大大的提高了电源利用率，使电池的寿命更长。
LDO作为一个重要的电路模块也被大量地集成到片上系统（SOC）、数字芯片、高性能模数/数模转换芯片之中1］。传统方法是利用片外的负载电容的等效串联电阻（ESR）进行补偿。但是，采用片外电容无疑减小了系统的集成度、增加了系统功耗。全集成型LDO克服了传统LDO的缺点，因此设计一款稳定，响应速度快、低压差、高PSRR的全集成LDO具有重要意义和价值同.
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