达林顿晶体管DT(Dar1ington Transistor)亦称复合晶体管。它采用复合过接方式,将两只或更多只晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次级连而成,最后引出E、B、C三个电极。
图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由N只晶体管(TI-Tn)组成,每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积:
hFE≈hFE1·hFE2……hFEn
因此,达林顿管具有很高的放大系数,值可以达到必千倍,甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器,还能提高驱动能力,获得大电流输出,构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中,也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类,一类是普通型,内部无保护电路,另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。
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