×

GaN在射频应用表现优秀的原因有哪些

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.10 MB | 2020-07-07

鼠爱米

分享资料个

  镓(Ga) 是一种化学元素,原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态,而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成,最常见的是纤锌矿晶体结构。纤锌矿晶体结构(如下图所示)呈六方形,通过两个晶格常数(图中标记为a 和c)来表征。

  GaN 晶体结构

  在半导体领域,GaN 通常是高温下(约为1,100°C)在异质基板(射频应用中为碳化硅[SiC],电源电子应用中为硅[Si])上通过金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。 GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今,GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。 GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多,并且具有较高的射频损耗,但成本也低很多。这就是GaN-on-Si 成为价格敏感型电源电子应用合并选择的原因所在。如今,GaN-on-Si 基板的直径可达12 英寸。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !