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2-8GHz宽带GaN功率放大器设计方案

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.76 MB | 2021-05-28

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　　基于0.25μ Lm Gan HEMT工艺，研制了一款两级拓扑放大结构的2~8GHz宽带功率放大器MMC（单片微波集成电路）。MMC所用 Gan HEMT器件结构经过优化，提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络，扩展了放大器的带宽，减小了电路的损耗。测试结果表明，在2~8GHz测试频带内，在脉冲偏压28V脉宽1ms，占空比30%）时，峰值输出功率大于30W，功率附加效率大于25%，小信号增益大于24dB，输入电压驻波比在28以下，在6GHz处的峰值输出功率达到50W，功率附加效率达到40%;在稳态偏压28V时，连续波饱和输出功率大于20W，功率附加效率大于20%尺寸为40mm×50mm。

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