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GaN有体二极管吗?了解GaN的第三象限运行

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:210.35KB | 2024-09-19

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在高功率密度应用中，氮化镓(GaN)fet为设计人员提供了一种可行的硅MOSFETs替代品。这是因为它们比硅有显著的优势，包括小结电容、没有体二极管和没有反向恢复损耗。这些优势支持更高效、更紧凑的功率转换器设计，由更高的开关频率驱动。现在，主要的商用GaN FETs是横向高电子迁移率晶体管(HEMT)。在结构中没有p-n掺杂漂移区的情况下，GaN在第三象限操作中表现出独特的特性。本应用报告基于对GaN横向结构的研究，详细解释了GaN在反向电流传导中的类二极管行为。当GaN用作整流器时，自然会出现第三象限运行。本应用报告还展示了如何利用短死区时间或自适应死区时间控制来最大限度地降低用作整流器的GaN FETs的第三象限损耗。
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