图1为覆晶(Flip Chip)技术沈积锡铅凸块之流程图,在电镀积锡铅凸块之后会进行光阻去除(PP Stripping)和UBM蚀刻,其中UBM蚀刻是以凸块或光阻当作蚀刻屏蔽层(Etching mask),然后将未被覆盖之UBM金属层作蚀刻去除,以隔离个别凸块。它是覆晶技术中的一个关键制程,因为UBM蚀刻不完全,将会引起电性短路(Short);反之如果UBM过度蚀刻,则会造成底切(Undercut)问题,甚至蚀刻到凸块本身,最后影响电子组件之可靠度。
在UBM蚀刻制程中,根据不同的UBM金属层种类和厚度、蚀刻液之化学特性、凸块图案、必须灵活性地搭配不同的蚀刻方式,以达到最佳之蚀刻均匀性。
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