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MOSFET栅极前100欧姆电阻有什么样的作用
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高端电流检测简介
图 1 中的电路所示为一个典型的高端电流检测示例。
负反馈试图在增益电阻 RGAIN 上强制施加电压 VSENSE。通过 RGAIN 的电流流过 P 沟道 MOSFET （PMOS），进入电阻 ROUT，该电阻形成一个以地为基准的输出电压。
电阻 ROUT 上的可选电容 COUT 的作用是对输出电压滤波。即使 PMOS 的漏极电流快速跟随检测到的电流，输出电压也会展现出单极点指数轨迹。
原理图中的电阻 RGATE 将放大器与 PMOS 栅极隔开。其值是多少？经验丰富的 Gureux 可能会说：“当然是 100 Ω！
尝试多个阻值
我们发现，我们的朋友 Neubean，也是 Gureux 的学生，正在认真思考这个栅极电阻。Neubean 在想，如果栅极和源极之间有足够的电容，或者栅极电阻足够大，则应该可以导致稳定性问题。一旦确定 RGATE 和 CGATE 相互会产生不利影响，则可以揭开 100 Ω或者任何栅极电阻值成为合理答案的原因。图 2 所示为用于凸显电路行为的 LTspice 仿真示例。Neubean 通过仿真来展现稳定性问题，他认为，稳定性问题会随着 RGATE 的增大而出现。毕竟，来自 RGATE 和 CGATE 的极点应该会蚕食与开环关联的相位裕量。然而，令 Neubean 感到惊奇的是，在时域响应中，所有 RGATE 值都未出现任何问题。
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