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SiCMOSFET的桥式结构详细讲解

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.10 MB | 2020-11-25

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  在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中 Gate-Source 电压的动作”时,本文先对 SiC MOSFET 的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。

  SiC SiC MOSFET 的桥式结构

  下面给出的电路图是在桥式结构中使用 SiC MOSFET 时最简单的同步式 boost 电路。该电路中使用的 SiC MOSFET 的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止 HS 和 LS 同时导通,设置了两个 SiC MOSFET 均为 OFF 的死区时间。右下方的波形表示其门极信号(VG)时序。

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