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基于CRD-20DD09P-2直流到直流单输出电源的参考设计
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2021-01-15
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说明
- CRD-20DD09P-2，评估硬件，用于演示全桥LLC电路中的第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的系统性能，该电路通常可用于电气的快速DC充电器汽车。这款新型额定电流为1000V的器件采用4L-TO247封装，专门为SiC MOSFET设计，具有开尔文源极连接，可改善开关损耗并减少栅极电路中的振铃。它还在漏极和源极引脚之间具有凹口，以增加蠕变距离，以适应更高电压的SiC MOSFET
主要特色
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转换类型DC到DC
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输入电压650至750 V
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输出电压300至550 V
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输出电流35 A
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输出功率20000 W
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拓扑全桥有限责任公司
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