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基于CRD-5FF0912P直流到直流单输出电源的参考设计
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2021-01-12
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说明
- CRD-5FF0912P，评估板将演示采用7L D2PAK封装的第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高开关性能。新型表面贴装器件（SMD）专为高压MOSFET设计，占地面积小，漏极和源极之间的爬电距离为7mm。新封装还包括独立的驱动器源连接，可减少栅极振铃并提供干净的栅极信号。该板可轻松配置为常见的电源转换拓扑，例如同步升压，同步降压，逆变器和其他拓扑
主要特色
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转换类型DC到DC
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拓扑半桥
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