资料下载
×
智能剥离SOI高温压力传感器
消耗积分:0 |
格式:rar |
大小:0.22 MB |
2021-03-24
姚小熊27
分享资料个
采用改进的 RCA 清洗工艺提高了硅片的低温键合质量， 提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SO I （Silicon O n Insulato r） 材料， 并用该材料成功地研制了双岛2梁2膜结构的 SOI 高温压力传感器。 对SOI压力传感器的测量结果表明， 当温度增加到 150℃左右时， 输出电压没有明显的变化， 其工作温度高于一般的体硅压力传感器 （其工作温度一般在 120℃以下）。 测得所制备SOI压力传感器的灵敏度为 63mV ö（M Pa·5V ） ， 比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 7 倍多。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
