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智能剥离SOI高温压力传感器

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.22 MB | 2021-03-24

姚小熊27

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　　采用改进的 RCA 清洗工艺提高了硅片的低温键合质量， 提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SO I （Silicon O n Insulato r） 材料， 并用该材料成功地研制了双岛2梁2膜结构的 SOI 高温压力传感器。 对SOI压力传感器的测量结果表明， 当温度增加到 150℃左右时， 输出电压没有明显的变化， 其工作温度高于一般的体硅压力传感器 （其工作温度一般在 120℃以下）。 测得所制备SOI压力传感器的灵敏度为 63mV ö（M Pa·5V ） ， 比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 7 倍多。

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