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超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM的对比

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.38 MB | 2021-03-26

姚小熊27

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　　采用基于物理的指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型．对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。

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