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一文读懂HfTiO高栅介质GeMOS电容
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2021-03-29
姚小熊27
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采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数（k）栅介质薄膜。电特性测量表明，HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数，减小了等效氧化物厚度，但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
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