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热退火对金属半导体的影响

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:0.38 MB | 2022-06-28

木南hlkn

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在镉锌薄膜(CZT)探测器制备过程中加入了一个热退火过程，以降低泄漏电流并获得稳定的探测器性能。由于其功功能低，可以作为CZT肖特基探测器的金属接触。研究了低温退火对铟/CZT接触的影响。采用了铟/CZT/金结构的CZT肖特基探测器。探测器在真空中退火10小时，在空气中退火2、4和8小时。测量了退火过程前后各探测器的泄漏电流和能量分辨率，并对测量数据进行了比较。
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