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门驱动的欠压保护功能及其注意事项
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2022-11-01
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IGBT/MOSFET等全控型开关器件在现代电力电子系统中的应用日趋广泛，相应的驱动芯片集成度也越来越高，其中欠压保护功能由于可以防止开关管在门极电压较低时饱和导通，被各大驱动芯片公司集成到了自家的驱动芯片上。本文以TI的UCC5320驱动芯片为例，介绍欠压保护的作用。另外，在双电源供电时欠压保护功能可能会失效，而UCC5320E在双电源供电时依然可以实现欠压保护。
一、欠压保护的重要性
图1显示了在一个固定Vds下，门极电压Vgs会如何影响MOSFET。虚线的右边是饱和区，在这个区域里漏极电流不受漏源电压Vds的影响，只取决于门极电压Vgs。MOSFET工作在饱和区域时功耗较大，因为此时它同时流过大电流承受大电压。虚线的左边是线性区，此时MOSFET相当于一个小电阻，可以流过大电流而不在漏源两端产生大的电压差。对于大电流的应用场合，让MOSFET工作在饱和区是非常危险的…
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