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电池供电的 NV SRAM 和 NOVRAMS 之间的比较
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2022-11-18
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NVSRAMNVSRAMDallas Semiconductor NVSRAM（Dallas Semiconductor NVSRAM（图 1图 1）具有内部锂电源和独立控制电路，可持续监控 V ）具有内部锂电源和独立控制电路，可持续监控 V CCCC是否超出容差条件。当出现这种情况时，锂电池会自动开启并无条件启用写保护以防止数据损坏。可以执行的写周期数没有限制，微处理器接口不需要额外的支持电路。Dallas NVSRAM 还可以可靠地存储数据长达 10 年，完全依靠电池供电。V CC时数据至少可保存 100 年是否超出容差条件。当出现这种情况时，锂电池会自动开启并无条件启用写保护以防止数据损坏。可以执行的写周期数没有限制，微处理器接口不需要额外的支持电路。Dallas NVSRAM 还可以可靠地存储数据长达 10 年，完全依靠电池供电。V CC时数据至少可保存 100 年通电。DIP 封装器件可用于直接符合流行的字节宽度 28 或 32 针 DIP 标准的现有静态 RAM。也可提供表面贴装部件。通电。DIP 封装器件可用于直接符合流行的字节宽度 28 或 32 针 DIP 标准的现有静态 RAM。也可提供表面贴装部件。图 1. 电池供电的 NVSRAM。图 1. 电池供电的 NVSRAM。NOVRAMNOVRAMNOVRAM（NOVRAM（图 2图 2
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