资料下载
×
IGBT失效模式和失效现象
消耗积分:0 |
格式:pdf |
大小:0.60 MB |
2023-02-22
李敏
分享资料个
今天梳理一下IGBT现象级的失效形式。 根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、 驱动或控制电路故障、散热装置故障、线路短路等，但最终的失效都可归结为电击穿和热击穿两种，其中电击穿失效的本质也 是温度过高的热击穿失效。目前对IGBT芯片失效的研究主要集中在对引起失效的各种外部因素，如过电压、过电流、过温等 进行分析上，而对失效的内部机理及过程仍缺乏深入的研究。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
