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IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.25 MB | 2023-02-24

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编辑： ll ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管 型号： IXYB82N120C3H1 品牌：IXYS/艾赛斯 封装： TO-264 最大漏源电流：82A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管 芯片个数： 沟道类型： 漏电流：ua 特性：IGBT、二极管 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的IXYB82N120C3
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