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GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
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2023-02-27
万物死
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依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN 基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降 低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而抑制了因刻蚀工艺导致的侧壁缺陷对载流子的复合效应。
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