介绍
本应用笔记介绍了在低端使用 DIOFET™ DMS3015SSS 的优势同步降压负载点 (PoL) 转换器的 MOSFET 位置。迪奥菲特™产品单片将功率MOSFET和反并联肖特基二极管集成到单个芯片中。这技术降低了RDS(ON)和反并联二极管VSD引起的损耗,最终改善了PoL 转换器的效率。DMS3015SSS 的电气和热性能优势是通过与常用同步降压转换器中的竞争解决方案进行比较来说明。同步降压转换器的低侧MOSFET考虑因素基于微处理器的计算、电信和工业系统变得越来越复杂且功能更强大。这对功率密度和PoL 转换器的耗散。同步降压转换器是最常用的拓扑结构PoL 转换器由于其低导通损耗和高开关频率,可实现磁性元件。
如图1所示,同步降压转换器的主要构建模块是:高端控制MOSFET(Q1和Q3);低侧同步MOSFET(Q2和Q4);输出电感器(L1 和 L2)和 PWM 控制器。PWM控制器的选择基于其提供足够的能力电流以高频驱动 MOSFET,并提供简单的单反馈环路电压具有快速瞬态响应的模式控制。在本例中,PWM IC是双输出降压在 3V 至 28V 输入电压下工作的控制器。
图1.采用 DMS3015SSS 和 DMG4466SSS 的双通道 POL 转换器
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