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DN80用于MOSFET栅极驱动应用的双极晶体管
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2023-07-24
吴藩
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在过去的几年里，MOSFET已经成为功率开关的首选器件应用程序。虽然导通电阻显著降低，但它们通常需要驱动器级以获得最佳性能，特别是当由低电压、低电流源驱动时。这就是双极晶体管固有优势的优势所在，如下所述。功率MOSFET通常被认为是电压驱动的器件，因此可能会被错误地认为期望从任何信号源驱动而与电流能力无关。这可能是一个在直流或极低频开关应用中驱动时可接受的假设，其中快速边缘速度并不重要，但越来越多的功率MOSFET被用于开关数百kHz至10MHz的电路，以及在这些情况下的栅极电荷要求是一个主要考虑因素。完全增强功率MOSFET所需的电荷来源于其栅极-源极和栅极-漏极电容，并通过外部电阻器传输。大门电压遵循特征RC时间常数，该时间常数（在EMI约束范围内）必须较短足以穿过线性区域而不会在功率中引起过大的开关损耗MOSFET。
例如，典型的100V、35m DPAK MOSFET需要大约50nC。如果需要为了在20ns内切换，需要2.5安培的栅极电流。有许多潜在的解决方案可以为功率MOSFET提供栅极驱动，包括专用IC驱动器、标准逻辑IC、分立MOSFET和双极晶体管。
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